Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 129 стр.

       вижность электронов возрастает, увеличивается и ток – это соответствует участку ОВ
       вольтамперной характеристики.
             При дальнейшем увеличении внешнего постоянного напряжения происходит воз-
       буждение электронов и переход их в верхнюю ЗП. В этой зоне подвижность электронов
       уменьшается, уменьшается и ток, протекающий через кристалл (участок ВС).
             Участок с отрицательным динамическим сопротивлением (участок ВС) появля-
       ется лишь при динамических режимах в СВЧ диапазоне. Период колебаний тока Т за-
       висит от дрейфовой скорости V электрона и длины образца L:

                                             1
                              T =L       =     .
                                     V       ν
              Так в GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний оказывается в интервале 0.3-2
       ГГц.
             Диоды Ганна используются для генерации сверхвысокочастотных колебаний при
       прохождении постоянного тока.


                     § 11. Кристаллический триод - транзистор

             Интенсивное развитие полупроводниковой электроники началось
       с 1948 г., когда был создан полупроводниковый усилительный прибор
       – транзистор (его, создателями были ученые Дж. Бардин, В.Браттейн
       и В.Шокли, удостоенные за это изобретение Нобелевской премией),
       аналог вакуумного триода, но обладающего всеми преимуществами
       полупроводниковых приборов: миниатюрность, экономичность, дол-
       говечность.
             Транзистор состоит из кристалла, в котором имеются три облас-
       ти: по краям кристалла находятся премесные полупроводники одного
       типа проводимости, между ними – чрезвычайно тонкий слой полупро-
       водника другого типа проводимости. Существуют транзисторы как
       (n-p-n)-, так и (p-n-p)- типов. Формально кристаллический триод мож-
       но рассматривать как парный диод.
             На рис. 56 представлена зонная схема транзистора, не включенного в
       электрическую цепь. Зонное объяснение работы транзистора основано на
       объяснении работы двух диодов, находящихся в разных состояниях: один
       диод – левый на схеме – находится в пропускном состоянии, другой – пра-
       вый на схеме в запорном (рис. 57).
             Малая толщина полупроводника p-типа (рассматривается работа тран-
       зистора n-p-n –типа) позволяет носителям заряда, прошедших переход ЭБ
       (левый n-p-переход), по инерции пройти полупроводник Б и попасть через
       переход БК ( правый p-n-переход) в правый полупроводник К и резко изме-

                                                                                     129




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com