Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 131 стр.

               На схемах (рис.58) применены транзисторы р-п-р- типа, во всех случаях коллек-
       тор имеет отрицательный, а эмиттер – положительный потенциал по отношению к базе.
       При включении транзистора по схеме (58а) происходит усиление сигнала по напряже-
       нию и мощности; по схеме (58б) – достигается усиление по току. Все усиления происхо-
       дят за счёт энергии подключённых источников.
              Помимо биполярных транзисторов, существует класс полевых транзисторов. Если
       в первых физические процессы связаны с движением носителей заряда обоих знаков, то
       в полевых транзисторах принцип их работы основан на управлении движением носите-
       лей заряда только одного знака (основных носителей).
              Элементы полевого транзистора (см. рис. 59) получили иное название, нежели элементы
       биполярного транзистора.
              Канал – это область полупроводникового кристалла, в которой поток носителей
       заряда регулируется изменением её поперечного сечения. Истоком называется электрод
       полевого транзистора, через который в канал втекают носители заряда, коллектируемые
       при выходе из канала другим электродом – стоком. Электрод, к которому прикладывает-
       ся управляющее напряжение, называется затвором.
              Различают два типа полевых транзисторов: полевые транзисторы с управляющи-
       ми р-п- переходами и полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП- транзи-
       сторы). Аббревиатура МДП означает структуру металл - диэлектрик – полупроводник.
       Очень часто в качестве диэлектрика используется окисел (в частности, двуокись крем-
       ния SiO 2 ), поэтому в литературе нередко встречается термин МОП транзистор (металл –
       окисел – полупроводник). МДП транзисторы в свою очередь подразделяются на транзисто-
       ры со встроенным (собственным) каналом и транзисторы с индуцированным каналом.
             Все полевые транзисторы различают также по виду проводимости канала: транзи-
       сторы с каналом р- или п- типа.
             Устройство полевых транзисторов трёх типов показано на рис. 60. В транзисторе
       с управляющим р-п- переходом канал образован частью кристалла п- полупроводника, с
       меньшим поперечным сечением. В п- полупроводнике созданы р- области, на границе
       которых с п- кристаллом образуется р-
       п- переход.




             В МДП транзисторе со встроен-
       ным каналом (рис.60b) р- канал и обла-
       сти стока и истока (р+ - области) вы-
       полнены в процессе изготовления при-
                                                                    Рис. 56.
                                                                                            131




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com