Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 130 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПсковГУ | Псков

Составители: 

Рубрика: 

130
нить там концентрацию носителей
заряда синхронно с изменением
тока в переходе ЭБ, который, в
свою очередь, синхронно изменя-
ется с изменением напряженияU
1
на входе схемы. Принято называть
левый полупроводник эмиттером,
правый – коллектором, средний –
базой, что отчасти указывает на
функциональную роль этих час-
тей. На сопротивлении R
2
будет
происходить падение напряжения
U
2
. Подбором батарей Е
1
и Å
2
и сопротивлений R
1
и R
2
можно добиться того,
что напряжение U
2
будет больше U
1
, (это следует из соотношения U
2
=I
2
·R
2
).
Данный транзистор работает как усилитель напряжения (и мощности), ко-
эффициент усилителя может достигать нескольких сотен. Аналогично мож-
но рассматривать работу транзистора p-n-p-типа.
§ 12. Классификация транзисторов
Полупроводниковая электрони-
ка является основной частью современ-
ных устройств от карманного приём-
ника до современных компьютеров.
Поэтому целесообразно рассмотреть
различные варианты транзисторов.
Слово транзистор составлено из
двух английских слов: transfer – пере-
носить, преобразовать и resistor – со-
противление.
В качестве исходного кристалла
используется германий или кремний.
Диапазон рабочих частот – от низкой
до высокой, по мощности – от малой до
большой.
Рассмотренный выше (§11) транзистор п-р-п- типа , как и транзистор р-п-р- типа
относятся к биполярным транзисторам. В них, как правило, имеется два взаимодей-
ствующих п-р перехода, усилительные свойства этих транзисторов обусловлены явле-
нием инжекции неосновных носителей заряда. Постоянные напряжения к электродам
транзистора подводятся от внешних источников. Возможны три схемы подключения
транзистора к источникам питания (рис.58) в зависимости от того, какой из электро-
дов является общим для входной и выходной цепей: с общей базой ОБ (58а), общим
эмиттером ОЭ (58б) и общим коллектором ОК (58в).
Рис. 54.
Рис. 55.
PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
       нить там концентрацию носителей
       заряда синхронно с изменением
       тока в переходе ЭБ, который, в
       свою очередь, синхронно изменя-
       ется с изменением напряженияU1
       на входе схемы. Принято называть
       левый полупроводник эмиттером,
       правый – коллектором, средний –
       базой, что отчасти указывает на
       функциональную роль этих час-
       тей. На сопротивлении R2 будет                   Рис. 54.
       происходить падение напряжения
       U2. Подбором батарей Е1 и Å2 и сопротивлений R1 и R2 можно добиться того,
       что напряжение U2 будет больше U1, (это следует из соотношения U2=I2·R2 ).
       Данный транзистор работает как усилитель напряжения (и мощности), ко-
       эффициент усилителя может достигать нескольких сотен. Аналогично мож-
       но рассматривать работу транзистора p-n-p-типа.

                          § 12. Классификация транзисторов

              Полупроводниковая электрони-
       ка является основной частью современ-
       ных устройств от карманного приём-
       ника до современных компьютеров.
       Поэтому целесообразно рассмотреть
       различные варианты транзисторов.
              Слово транзистор составлено из
       двух английских слов: transfer – пере-
       носить, преобразовать и resistor – со-
       противление.
              В качестве исходного кристалла
       используется германий или кремний.
       Диапазон рабочих частот – от низкой
       до высокой, по мощности – от малой до                  Рис. 55.
       большой.
              Рассмотренный выше (§11) транзистор п-р-п- типа , как и транзистор р-п-р- типа
       относятся к биполярным транзисторам. В них, как правило, имеется два взаимодей-
       ствующих п-р перехода, усилительные свойства этих транзисторов обусловлены явле-
       нием инжекции неосновных носителей заряда. Постоянные напряжения к электродам
       транзистора подводятся от внешних источников. Возможны три схемы подключения
       транзистора к источникам питания (рис.58) в зависимости от того, какой из электро-
       дов является общим для входной и выходной цепей: с общей базой ОБ (58а), общим
       эмиттером ОЭ (58б) и общим коллектором ОК (58в).

                                                                                       130




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

Страницы