Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 132 стр.

       бора. В МДП транзисторе с ин-
       дуцированным каналом (рис.
       60с) сам канал не создаётся тех-
       нологическим путём. Под дей-
       ствием электриче ского поля,
       возникающего в результате
       приложения напряжения к зат-
       вору, в части п- полупровод-
       ника, вблизи поверхности, меж-
       ду стоком и истоком образует-                       Рис. 57.
       ся тонкий инверсный слой с ды-
       рочной проводимостью – р- канал.
              Транзистор с управляющим р-п- переходом может быть выполнен также на ос-
       нове р- полупроводника (с каналом р- типа), а транзисторы с изолированным затвором
       – с областями стока и истока п- типа, образованными в кристалле с дырочной проводи-
       мостью.
              Как видно из рис.60 b) и с), затвор в МДП транзисторах отделён от кристалла
       полупроводника слоем диэлектрика. Поэтому такие приборы и называют транзисто-
       рами с изолированным затвором.
              МДП – транзисторы – четырёхэлектродные приборы: четвёртым электродом – под-
       ложкой – служит кристалл полупроводника, на основе которого выполнен транзистор.
              Как уже отмечалось выше, ток в полевых транзисторах в отличие от биполяр-
       ных обусловлен лишь движением основных носителей заряда, причём движение это
       имеет дрейфовый характер. В связи с этим частотные свойства полевых приборов и
       особенности их работы в импульсных режимах зависят от иных физических парамет-
       ров и процессов, чем в биполярных транзисторах.
              Вторая особенность, отличающая полевые транзисторы от биполярных, - это
       принцип управления током в приборе с помощью электрического поля. Это поле со-
       здаётся обратным напряжением на управляющем р-п- переходе или напряжением на
       затворе в МДП транзисторах. И в том и в другом случае токи в управляющей цепи
       (цепи затвора) весьма малы, и входное дифференциальное сопротивление прибора ве-
       лико: 10 8 − 1010 Ом в транзисторах с управляющим р-п- переходом и 10 10 − 1012 Ом в
       МДП транзисторах. В этом отношении полевые транзисторы близки к электронным
       лампам. Поэтому усилительные свойства полевых транзисторов принято оценивать не
       коэффициентом передачи тока, как в биполярных транзисторах, а, как в электронных
       лампах, крутизной характеристики, определяющей зависимость тока стока (тока в вы-
       ходной цепи) от напряжения, приложенного ко входной цепи (цепи затвора).
                        § 13. Фотоэлектрические приборы
             Кристаллические диоды и транзисторы являются основными элемен-
       тами современной электронной техники в силу их дешевизны, миниатюрно-
       сти, прочности и долговечности. Помимо прямого назначения (диоды для
       выпрямления переменных импульсов, транзисторы - для усиления электри-
       ческих сигналов), диоды и транзисторы используются и для многих других
       целей.
             Рассмотрим использование кристаллического диода для превра-
                                                                                      132




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com