Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 135 стр.

       щении p-n-перехода возникают дополнительные носители заряда, обратный
       ток увеличивается в зависимости от интенсивности освещения. На нагру-
       зочном сопротивлении увеличивается падение напряжения, что регистри-
       руется дополнительными устройствами. У полупроводниковых фотодиодов
       перед вакуумными фотодиодами те же преимущества, что и у других полу-
       проводниковых приборов: относительная дешевизна в изготовлении, мини-
       атюрность, высокая чувствительность и возможность использования источ-
       ников тока с малым рабочим напряжением.
             Если вместо одиночного p-n-перехода использовать двойной p-
       n-переход (транзистор), то можно значительно усилить фототок. Этот
       эффект используется в управляющих системах.
             На рис. 63 изображен фототранзистор p-n-p-типа. При изобра-
       женном способе включения вывод базы фототранзистора остается сво-
       бодным. При освещении базы (полупроводник n-типа) в ней появля-
       ются свободные электроны и «дырки». Последние, продиффундиро-
       вав к правому p-n-переходу, подхватываются внешним электрическим
       полем (создаваемым батареей ), в результате чего возрастает коллек-
       торный ток, возрастает и выходное напряжение , которое подается в
       следующие элементы схемы (они не изображены на рис.63).
             Если вместо освещения p-n-перехода видимым светом использо-
       вать гамма-, рентгено- или радиоактивное излучение, то можно полу-
       чить датчики соответствующих излучений-дозиметры.
             При прохождении электрического тока через p-n-переход проис-
       ходит инжектирование в полупроводник p-типа не основных носите-
       лей заряда - электронов (аналогично, в полупроводник n-типа инжек-
       тируются не основные в нем носители заряда – «дырки»), которые встре-
       чаясь с основными носителями в данном полупроводнике, рекомбини-
       руют с ними. В ряде полупроводников выделяющаяся энергия не пере-
       дается кристаллической решётке, а выделяется в виде квантов излуче-
       ния – фотонов. В таких полупроводниках, как SiC, GaAs, InAs, InSb,
       пропускание тока в прямом направлении через p-n-переход, сопровож-
       дается свечением. Такие диоды получили название светодиодов. Они
       нашли применение в световых табло, в счётно-решающих устройствах
       для ввода и вывода информации, там, где требуются долговечные и
       потребляющие малую мощность световые индикаторы.
             Особенно перспективно использование полупроводника с p-n-пе-
       реходом в качестве рабочего тела квантового генератора. Впервые та-
       кое устройство было изготовлено в 1951 г. двумя российскими учё-
       ными А.М. Прохоровым и Н.Г. Басовым и американским учёным
                                                                         135




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com