Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 86 стр.

       ственный ион решётки. Поэтому вокруг примесного иона решётка сильно деформиру-
       ется, что приводит к изменению её тепловых свойств, так как фононы испытывают до-
       полнительное сопротивление со стороны искаженного участка. В металлах примесные
       ионы оказывают добавочное сопротивление движению электронов.

                              § 12.2. Линейные дефекты решётки

              К линейным дефектам кристаллической решётки относятся дислокации. Рассмот-
       рим два простейших типа дислокаций: краевую (линейную) и винтовую. Краевая дис-
       локация возникает, если внутри кристалла имеется незаконченная атомная плоскость
       (рис.25а, 26а). В случае образования так называемой винтовой дислокации (рис.26) атом-
       ные плоскости постепенно переходят одна в другую, оказываясь лишь приближённо
       параллельными. Кристалл по сути дела представляет собой одну атомную плоскость,
       изогнутую по винтовой поверхности.
              Установлено, что дислокация играет важную роль в процессе роста кристаллов,
       в образовании точечных дефектов, в тепловых и механических явлениях. Например,
       остаточную деформацию сдвига можно объяснить с помощью перемещения дислока-
       ции. В реальном кристалле она возникает при напряжениях на несколько порядков
       ниже сдвиговой прочности идеальных кристаллов. Процесс переползания линейной дис-
       локации и образования остаточной деформации сдвига изображён на рис.25. Последо-
       вательное пересоединение связей осуществляется небольшими перемещениями ионов.
       Именно поэтому для переползания дислокации требуются небольшие напряжения. На-
       личие дислокаций меняет и электрические свойства решётки, так как они создают доба-
       вочное сопротивление движению электронов и вакансий. В месте нахождения дислока-
       ций кристаллическая решётка особенно сильно нарушена. Поэтому к дислокациям пере-
       мещаются другие дефекты кристаллической решётки: примесные ионы и пр. С другой
       стороны. при облучении или нагревании кристаллической решётки возможно разруше-
       ние дислокаций и существенное изменение её свойств.




                          a                                             б




                          в                                             г
                                              Рис.25.
                                                                                          86




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com