ВУЗ:
Составители:
110
Рис. 78. Топология адаптированных к САПР элементов с повышенной нагру-
зочной способностью: а - ТТЛШ-элемент; б - КМОП-элемент
Как показывают приведенные примеры (см. рис. 70 - 78), СТП имеют
различные конструкции для разных микроэлектронных технологий, но сим-
вольная топология блоков при этом идентична. Поэтом у переход от одной
технологической базы к другой может быть осуществлен простой заменой
СТП в процессе синтеза полной топологии без изменения символьной тополо-
гии блоков. Эта особенность открывает новые возможности для разработки
технологически инвариантных САПР и улучшения характеристик проекти-
руемых СБИС. Например, можно получить общую символьную топологию
СБИС и на ее основе реализовать несколько вариантов СБИС с различными
технико-экономическими характеристиками для разных микроэлектронных
технологий.
Согласно результатам проведенных исследований, адаптированная к
САПР элементная база позволяет на 25 - 40% повысить эффективность ис-
пользования площади кристалла СБИС, на 10 - 20% повысить их быстродей-
ствие, а также значительно сократить время и затраты на проектирование
благодаря использованию более эффективных алгоритмов размещения и
трассировки.
