ВУЗ:
Составители:
111
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В настоящее время специализированные СБИС составляют основу эле-
ментной базы большинства радиоэлектронных и электронно-вычислительных
устройств. Поэтому темпы совершентсвования методов проектирования и
технологических процессов производства специализированных СБИС в зна-
чительной степени определяют темпы развития практически во всех областях
науки и техники.
Элементы современных СБИС представляют собой интегральные струк-
туры, выполненные на основе таких полупроводниковых материалов, как
кремний и арсенид галлия. Но неуклонное расширение областей применения
СБИС (транспорт, предприятия химической промышленности, подводные и
космические исследования и др.) предъявляют повышенные требования к
надежности интегральных схем в экстремальных условиях эксплуатации. Это
привело к расширению исследований по использованию для производства
СБИС широкозонных полупроводников (карбида кремния, алмаза и др.), а
также неполупроводниковых материалов. Успешно развиваются такие на-
правления в микроэлектронике, как оптоэлектроника, биоэлектроника и т.д.
Однако это не означает, что традиционные полупроводниковые матералы
исчерпали свои возможности. Рассмотренные выше технологические процес-
сы, методы проектирования, конструкции интегральных элементов, методы
организации САПР, языки описания проектов открывают новые возможности
для повышения качественных показателей специализированных СБИС. При
этом растет круг проблем в области развития СБИС, требующих скорейшего
решения. Поэтому разработка новых эффективных методов, элементов и тех-
нологий является актуальной задачей.
