ВУЗ:
Составители:
5
содержит 10 млн. транзисторов, фирма NEC недавно объявила о разработке
кристалла ОЗУ емкостью 4 Гбита, серийный выпуск которого ожидается к
2000 году. А к 2010 году предполагается достичь рубежа в 1 трл. бит.
Кроме того, ис-
следования, прове-
денные в различных
областях, показали,
что закон Мура носит
не локальный харак-
тер, а распространя-
ется и на многие
смежные отрасли
индустрии. Напри-
мер, в 1995 году
аналогичная зависи-
мость была установ-
лена для сложности
программного кода
продуктов фирмы
Microsoft.
Между тем со-
вершенно ясно, что такая тенденция роста сложности интегральных схем не
может продолжаться вечно. С увеличением степени интеграции и уменьшени-
ем размеров полупроводниковых компонентов все сильнее проявляют себя
ограничивающие факторы. Это, прежде всего, предельные физические огра-
ничения размеров структур на основе кремния и других полупроводниковых
материалов. Кроме того, сокращение размеров полупроводниковых компо-
нентов и повышение степени интеграции требует дополнительных капиталь-
ных вложений в науку и производство. Причем, согласно исследованию Мура
(1995), капитальные вложения растут экспоненциально с ростом плотности
размещения компонентов.
Так, стоимость нового завода по производству интегральных схем воз-
росла с 14 млн. долларов в 1966 году до 1,5 млрд. в 1995. В 1998 году эта
стоимость достигла в среднем 3 млрд. долларов. Это приводит к тому, что
уменьшать размеры полупроводниковых интегральных транзисторов после
2003 - 2005 года станет экономически невыгодно. Поэтому считается, что
справедливость закона Мура ограничивается максимум 2010 годом.
Однако данные исследования проводились применительно к планарным
и изопланарным технологиям. Но в настоящее время интенсивно развиваются
новые микроэлектронные технологии. Наиболее перспективными из них счи-
Рис. 2. Прогноз темпов роста степени интеграции на
1972 - 1998 гг. по микропроцессорам и схемам памяти
