Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

7
скрытым окислом, он характеризуется очень малыми значениями паразитных
емкостей и токов утечки (площадь стокового и истокового р-n-переходов пре-
небрежимо мала). Это значительно повышает предельное быстродействие.
Дополнительного сокращения задержек переключения достигают, соединяя
затвор транзистора с областью канала. При этом паразитный биполярный
транзистор оказывается подключенным параллельно МДП-транзистору: исток
выступает в роли эмиттера, подложка - базы, а сток - коллектора (рис. 5). При
подаче на затвор входных импульсов основной и паразитный транзисторы
отпираются и запираются синхронно, тем самым значительно повышая удель-
ную крутизну структуры и сокращая время переключения. При этом коэффи-
циент передачи тока биполярной структуры в схеме с общим эмиттером равен
примерно 500, что свидетельствует о высокой эффективности и больших пер-
спективах КНД-структур.
Следует отметить, что параллельно с полу-
проводниковыми в настоящее время успешно
развиваются другие перспективные технологии.
Например, биоэлектроника, оптоэлектроника,
использование явления сверхпроводимости,
интерес к которому значительно возрос с появ-
лением сверхпроводящей керамики, не тре-
бующей криогенных температур для поддержа-
ния сверхпроводящего состояния.
Недавно появились публикации о так на-
зываемых “спиновых транзисторах”, изготавли-
ваемых на основе металлических и феррит-
гранатных пленок. В этих транзисторах
полупроводниковые материалы полно-
стью отсутствуют.
Тело транзистора составляет ме-
таллическая пленка. Роль переходов
“база-эмиттер” и “база-коллектор” вы-
полняют феррит-гранатные пленки.
Направление их намагниченности из-
меняется токовыми аппликациями. При
этом если “эмиттерная” и “коллектор-
ная” феррит-гранатные пленки намаг-
ничены в одном направлении, транзи-
стор находится в проводящем состоя-
нии, в противном случае - в непрово-
дящем. Иными словами, подавая им-
Рис. 4. Структура SIMOX-
пластины
Рис. 5. МДП-транзистор на SIMOX-
пластине

Страницы