Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

8
пульсы тока в токовую аппликацию, изменяющую намагниченность “эмиттер-
ной” феррит-гранатной пленки, можно осуществлять управление током тран-
зистора. Причем по завершении действия управляющего импульса тока на-
магниченность ферритовой пленки сохраняется, что обуславливает высокую
экономичность и радиационную стойкость спиновых транзисторов.
Кроме того, данные структуры характеризуются предельно малым вре-
менем переключения и способностью рассеивать большое количество тепло-
ты, поскольку сами материалы являются прекрасными проводниками тепла.
Устройства памяти на спиновых транзисторах сочетают в себе все преиму ще-
ства ОЗУ и ПЗУ: обеспечивают малое время доступа, высокую плотность
размещения, энергонезависимость и радиационную стойкость. При этом
уменьшение размеров спиновых транзисторов приводит к значительному
улучшению их характеристик и ограничивается лишь возможностями совре-
менных методов литографии.
Еще одним перспективным направлением являются проводимые в на-
стоящее время исследования по созданию устройств памяти, способных изме-
нять информационное состояние посредством захвата или отдачи всего одно-
го электрона.
Поэтому, возможно, ожидаемое сокращение темпов роста сложности по-
лупроводниковых интегральных схем в ближайшие несколько лет свидетель-
ствует о предстоящем качественном скачке в развитии науки и техники, кото-
рый откроет новые перспективы научно-технического прогресса.
1. ОСНОВНЫЕ ОГРАНИЧЕНИЯ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ СБИС
Уменьшение размеров полупроводниковых структур - основная тенден-
ция развития интегральной электроники. Но уменьшать проектные нормы
можно лишь до тех пор, пока не будут достигнуты минимальные размеры с
точки зрения физических принципов работы приборов или имеющихся воз-
можностей получения требуемых размеров и допусков.
Основные ограничения, свойственные планарному циклу производства
интегральных схем связаны с изготовлением шаблонов и проявлением рисун-
ков. В настоящее время электронно-лучевая литография позволяет получать
структурные области с минимальными размерами до 300 нм с резкостью краев
порядка 10 нм. Ионно-лучевая литография обладает еще большими возможно-
стями. При ее использовании ожидается освоение размеров менее 10 нм. Кро-
ме того, ионные пучки позволяют решить проблему управляемого травления
после прорисовки рисунка [4].
Следует иметь в виду, что для описания работы приборов, области кото-
рых содержат менее 1000 атомов, традиционные математические модели и
методы, основанные на статистических макроприближениях, не могут быть

Страницы