ВУЗ:
Составители:
37
более тонкий, так называемый физически нарушенный слой. Последний ха-
рактеризуется наличием определенных искажений кристаллической решетки и
механических напряжений, возникающих в процессе шлифовки.
Таблица 3
Подготовительные технологические операции
Полировка состоит в удалении обоих нарушенных слоев и снижении не-
ровностей до уровня сотых долей микрона. Помимо механической полировки
(с помощью еще более мелкозернистых суспензий), используется химическая
полировка (травление), то есть по существу растворение поверхностного слоя
полупроводника в тех или иных реактивах. Выступы и трещины на поверхно-
сти стравливаются быстрее, чем основной материал, и в целом поверхность
выравнивается.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
