Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 43 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

45
Наиболее характерными видами деформаций пластин в данном случае
являются:
1) деформации типа “седло” при загрузке;
2) деформации типа “чаша” при выгрузке.
При загрузке пластин в печь периферийные области пластины, т.е. ее
края, будут нагреваться быстрее, чем центральная область, в силу рассмотрен-
ных выше причин. Естественно, при этом периферийные области расширяют-
ся сильнее по сравнению с центральной, что и приводит к возникновению
краевых деформаций, приобретающих чаще всего форму седла.
При выгрузке пластин из печи, наоборот, периферийные области быстрее
остывают. Температура центральной части пластины оказывается выше тем-
пературы на ее периферии. Центральная область при этом расширяется силь-
нее, что и приводит к ее выпячиванию в ту или иную сторону, в зависимости
от начальной формы пластины (выпуклая или вогнутая), что и проявляется как
деформация, напоминающая чашу.
Следует отметить, что при правильном выборе параметров, таких как
скорость загрузки и выгрузки пластин, расстояние между ними, режим термо-
обработки, описанные деформации носят упругий характер и в процессе по-
степенного выравнивания распределения температур в пластине по мере ее
охлаждения или нагревания практически полностью исчезают. При отклоне-
нии перечисленных параметров от оптимальных значений деформации пре-
одолевают предел упругости и становятся пластическими, то есть не исчезают
даже после выравнивания температуры пластины. Причиной является появле-
ние дислокаций, обусловленных скольжением кристаллов. Это, как уже отме-
чалось, может привести к значительному сокращению выхода годных микро-
схем.
2.9. Эпитаксия
Разговор о методах выращивания кристаллов был бы незаконченным без
рассмотрения процессов эпитаксии.
Эпитаксией называют процесс наращивания монокристаллических слоев
на подложку, при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого
слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки [3].
Эпитаксия обычно используется для получения тонких рабочих слоев од-
нородного полупроводника на сравнительно толстой подложке, играющей
роль несущей конструкции.
Разработка технологии эпитаксиального наращивания была вызвана не-
обходимостью формирования тонких монокристаллических однородно леги-

Страницы