Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 41 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Луч гелиево-неонового лазера направляется на двухмерную решетку, а

разделенные лучи, образующиеся на выходе решетки, направляются на по-

верхность пластины. При отражении лучей от зеркальной поверхности иссле-

дуемой пластины, а затем от полупрозрачного отражателя, формируется уве-

личенное изображение двухмерной решетки на экране. В случае идеально

плоской поверхности образца получается правильное изображение решетки.

При наличии деформаций, изображения соответствующих элементов двух-

мерной решетки будут искажаться и смещаться на экране относительно их

нормального положения.

Преимущества такого метода измерения деформаций: отсутствие меха-

нического контакта с пластиной, высокое быстродействие, высокая разре-

шающая способность.

Деформации пластин, возникающие при резании полупроводниковых

слитков, обусловлены изгибами и смещениями режущих инструментов. Как

правило, эти смещения находятся в пределах ±13 мкм и в значительной степе-

ни удаляются в процессе последующей шлифовки и полировки поверхностей

пластин.

При этом высокие требования предъявляются не только к качеству пе-

редней поверхности пластины, но также и задней. Это связано, в основном, с

использованием вакуумных приспособлений для прочной фиксации пластин,

например при проведении литографии. На рис. 31 видно, что при наличии

деформаций задней поверхности вакуумный прижим пластины приводит к

появлению соответствующих деформаций лицевой стороны. Существенно

уменьшить данный вид деформаций можно при одновременной полировке

обеих поверхностей пластин.

Следует отметить, что величина деформаций при резании в значительной

степени определяется не только смещениями режущего инструмента, но также

методом выращивания полупроводникового слитка и кристаллографической

ориентацией получаемых пластин.

Рис. 30. Установка дистанционного измере-

ния деформаций пластин