Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 58 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

60
сравнению с толщиной пластины. По этому в случае отжига при помощи ламп
диффузию примесей нельзя считать пренебрежимо малой, что составляет
основной недостаток метода.
Отжиг при помощи электронного луча используется либо в импульсном
режиме, когда облучается вся пластина одновременно, что повышает произ-
водительность, либо в непрерывном - сканированием сфокусированного луча.
При импульсной обработке ток луча составляет 0,4 А, ускоряющее на-
пряжение 100 кВ, длительность импульса порядка 10 - 200 нс.
При сканировании сфокусированным лучом ток луча составляет 60 мкА,
ускоряющее напряжение - 20 кВ, диаметр луча - 10 мкм.
Существенными преимуществами электронно-лучевых установок по
сравнению с лазерными является их простота и более высокое быстродействие
в непрерывном, и особенно - в импульсном режиме.
Глубина проникновения в пластину электронного луча практически не
отличается от глубины проникновения лазерного излучения, но существенно
зависит от ускоряющего напряжения.
Дополнительным преимуществом импульсного электронного отжига яв-
ляется возможность проводить термообработку через окна в пленке окисла.
Свойства изолирующего покрытия практически не изменяются при средних
дозах облучения.
К основным недостаткам отжига электронным лучом следует отнести
изменение электрических свойств пленок при использовании больших доз
облучения, вызванное захватом электронов ловушками, а также повышение
плотности дефектов при обработке пучком электронов. Для ликвидации дан-
ных отрицательных последствий после интенсивного электронного облучения
проводят низкотемпературный отжиг при температуре порядка 500
о
С.
Проводятся также исследования по использованию для отжига пучков
протонов (Н
+
) при ускоряющем напряжении 18 кэВ и плотности тока 18 - 380
А/см
2
в импульсном режиме при длительности импульсов порядка 80 нс.
2.14. Ядерное легирование полупроводников
Облучение полупроводниковых материалов на ядерных реакторах было
начато в 1950 году. Первоначальный интерес к этому вопросу был связан с
изучением радиационных дефектов. Именно эти исследования непосредствен-
но и привели к ядерному, трансмутационному, легированию, при котором
чистый монокристаллический слиток кремния с высоким удельным сопротив-
лением под действием облучения медленными (тепловыми) нейтронами пре-
вращался в равномерно легированный фосфором материал n-типа [5].

Страницы