Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 60 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

этапе проводятся исследования по использованию ядерного легирования при

производстве интегральных схем.

3. МЕТОДЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫХ СБИС

3.1. Разновидности МДП-структур

Цель разработки МОП-структуры с двойной диффузией (D-МОП) со-

стояла в сокращении длины канала транзистора без улучшения разрешающей

способности литографии [2].

Основой D-МОП-структуры (рис. 39) является высокоомная подложка n-,

p- или π-типа. В данном случае символы n

, p

означают низкую степень леги-

рования донорами и акцепторами соответственно. А символ π означает пре-

дельно низкую степень легирования акцепторами (~10

см

-3

Область р+-типа для образования короткого канала формируется со сто-

роны истока посредством двойной диффузии акцепторных и донорных приме-

сей в одно и то же окно. При этом длина канала, по сути, равна толщине обра-

зовавшегося слоя р+-типа и, следовательно, определяется разностью диффу-

зионных длин или соотношением коэффициентов диффузии легирующих

примесей, а не разрешающей способностью литографии, что и требовалось

получить.

Рис. 39. D-МОП-структура

Размеры затвора и расстояние между истоком и стоком L

определяются

минимальным литографическим размером ∆. При этом область канала не

является однородной, как в традиционных МДП-транзисторах. Она состоит из

двух частей: с высокой и низкой степенью легирования. То есть D-МОП-

структуру можно представить в виде двух последовательно соединенных