Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

63
МОП-транзисторов с различными значениями порогового напряжения. Поро-
говое напряжение короткоканальной части существенно выше, чем длиннока-
нальной.
При подаче на затвор отпирающего напряжения длинноканальный тран-
зистор отпирается при напряжении, меньшем порогового напряжения корот-
коканального транзистора. При этом фактически длина канала сокращается до
длины соответствующей области короткоканального транзистора, что приво-
дит к значительному увеличению быстродействия.
Кроме того, определенная часть напряжения сток-исток приходится на
длинноканальную часть. При этом напряженность электрического поля в об-
ласти короткого канала уменьшается по сравнению с традиционным транзи-
стором с такими же параметрами канала и при таком же напряжении сток-
исток. Следовательно, лавинный пробой в D-МОП-транзисторе наступит при
более высоких напряжениях между истоком и стоком, что позволяет реализо-
вывать выходные буферные высоквольтные схемы в составе СБИС.
Следует отметить, что основное преимущество рассматриваемой струк-
туры - короткий канал, было наиболее значимо при использовании проектных
норм 2 - 5 мкм. В настоящее вр емя методы литографии позволяют формиро-
вать традиционные МДП-структуры с очень короткими каналами. При этом
плотность компоновки значительно выше, чем при использовании D-МОП-
структур. Это обстоятельство ограничивает использование данных структур
лишь специальными случаями, например в высокочастотных буферных эле-
ментах с повышенным напряжением питания.
Другой разновидностью конструкции МДП-транзистора является так на-
зываемая V-МОП-структура, разработанная Ро джерсом и Мейндлом и пред-
ставляющая собой n-канальный транзистор, сформированный вдоль стенки
углубления (рис. 40) [2].
В V-МОП-структуре слои
стока, π-области и канала
сформированы на кремниевой
подложке n+-типа, выполняю-
щей роль истока и подсоеди-
ненной к шине нулевого потен-
циала. V-образное углубление
формируют посредством ани-
зотропного травления. Стенки
углубления покрыты тонким
слоем диэлектрика и слоем алюминия, выполняющего роль затвора.
В данном случае, как и в D-МОП-транзисторе, толщина р-области опре-
деляет длину канала и, следовательно, не зависит от разрешающей способно-
Рис. 40. V-МОП-структура

Страницы