Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 62 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

сти литографии. Наличие π-области позволяет снизить напряженность поля в

канале и тем самым повысить напряжение лавинного пробоя. Но при этом, в

отличие от D-МОП-структур, V-МОП-транзисторы позволяют достичь доста-

точно высокой плотности размещения на кристалле, что определяет их более

широкое использование в БИС и СБИС и не только в качестве буферных эле-

ментов.

Но поскольку истоки всех V-МОП-транзисторов заземлены, на их основе

удобно реализовывать только функции ИЛИ-НЕ, что требует использования

большего числа вентилей для реализации сложных логических функций и

является основным недостатком и ограничивающим фактором применения V-

МОП-структур.

Благодаря перечисленным достоинствам, особенно широко V-МОП-

транзисторы используются для создания мощных высокочастотных приборов

и схем. На низких частотах они способны управлять токами до 40 А при на-

пряжениях до 1000 В. Верхний предел рабочих частот таких транзисторов

достигает 200 МГц - 4 ГГц.

Сегодня на стадии исследования находятся элементы на основе совме-

щенных вертикальных МОП-структур (СМОП) [6].

Логический СМОП-элемент, показанный на рис. 41, представляет собой

вертикальный МОП-транзистор на столбике с системой входных затворов. В

верхней части столбика размещены стоки, объединенные в общий сток - вы-

ход элемента, а в нижней части - истоки. Основание подложки является об-

щим истоком n-канальных транзисторов, на ней расположен слой противопо-

ложного типа проводимости с контактами (или контактом кольцевой формы),

которые служат истоками р-канальных транзисторов. Столбики могут иметь

разнообразное сечение: круглое, квадратное, прямоугольное. Толщина стол-

бика и концентрация примеси в нем должны быть достаточно малыми, чтобы

он полностью обеднялся основными носителями при формировании поверх-

ностного канала. В качестве общего стока в верхней части столбика сформи-

рован закороченный металлическим контактом кольцевой р-n-переход. Это

позволяет и электронам из поверхностного канала, и дыркам из внутренней

части столбика беспрепятственно перетекать в металлический контакт стока.