Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Рындин Е.А - 17 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 18. Схематическое изображение поперечного сечения ЛЭ на основе GaAs ПТШ

с самосовмещенными затворами на различных этапах технологического процесса:

1 – ионная имплантация в полуизолирующую подложку; 2 – формирование

электрода затвора и ионная имплантация для получения самосовмещенных с

затвором контактных n+-областей; 3 – формирование омических контактов; 4 –

нанесение первого уровня металлизации; 5 – нанесение межслойного диэлектрика и

травление в нем сквозных отверстий; 6 – формирование второго уровня

металлизации

Рис. 19. Схематическое изображение поперечного сечения ЛЭ на основе

AlGaAs/GaAs СЛПТ с самосовмещенными затворами на различных этапах

технологического процесса

В целом можно сделать вывод о том, что гомоструктурные и гетероструктур-

ные полевые транзисторы Шоттки на основе GaAs и AlGaAs/GaAs позволяют созда-

вать на их основе сверхбыстродействующие интегральные логические элементы с

временем задержки до 10 пс (значительно превосходящие по быстродействию крем-

ниевые КМОП-элементы), занимающие малую площадь на кристалле. При этом

использование преимущественно каналов n-типа (вследствие низкой подвижности

дырок), а также низкая контактная разность потенциалов управляющих переходов

Шоттки приводят к снижению помехоустойчивости, повышению мощности и энер-

гии переключения ЛЭ по сравнению с КМОП-схемами на основе кремния. Вследст-

вие изменения характера рассеяния электронов в каналах СЛПТ, наиболее высокого

быстродействия удается достичь при низких температурах Т < 77 К. Кроме того,

требование обеспечения малого разброса пороговых напряжений транзисторов на

кристалле существенно усложняет технологический процесс и требует более жест-

кого контроля технологических операций. В совокупности перечисленные факторы

на современном этапе развития микроэлектронной технологии делают проблема-