Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Рындин Е.А - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

37
- технологический процесс изготовления СБИС на основе комплементар-
ных ПТШ заключается в формировании половин столбиков n- и р-типа на
основе отдельных n
+
- и р
+
-пластин. Полные столбики, содержащие тран-
зисторы с различным типом проводимости, формируются посредством
операции слияния n
+
- и р
+
-пластин;
- в результате слияния пластин подложки n
+
- и р
+
-типа выходят соответст-
венно на лицевую и обратную стороны кристаллов СБИС. При этом шины
питания и нулевого потенциала напыляются на лицевую и обратную сто-
роны кристаллов по всей их площади, что позволяет сократить общее чис-
ло литографий, повысить плотность размещения элементов на кристалле
за счет освобождения дополнительной площади под трассировку сигналь-
ных линий связи, устранить проблемы, связанные с трассировкой шин пи-
тания и неравномерностью распределения токов по данным шинам. Кро-
ме того, создаются более выгодные условия для обеспечения кондуктив-
ного отвода тепла от кристалла СБИС за счет двухстороннего соединения
кристалла с радиаторами посредством пайки, а также повышается устой-
чивость к воздействию определенных видов ионизирующих излучений
[43];
- столбики, содержащие комплементарные пары ПТШ, выращиваются на
подложках n
+
- и р
+
-типа и с боковых сторон окружены слоями диэлектри-
ка, что обеспечивает с одной стороны малое тепловое сопротивление
ПТШ на полупроводниковые подложки, а с другой – малые паразитные
емкости, низкую энергию переключения и высокое быстродействие ЛЭ;
- при синтезе логической структуры проектируемой СБИС средства автома-
тизации проектирования ориентированы на преимущественное использо-
вание двухступенчатых элементов (2И-2ИЛИ-НЕ, 2ИЛИ-2И-НЕ и др.), по-
скольку при этом достигается наибольшая эффективность использования
объема кристалла за счет сокращения числа межслойных переходов при
трассировке межэлементных соединений;
- активные полупроводниковые структуры и металлические соединения
выполняются в одних и тех же слоях, что обеспечивает сокращение числа
литографий и повышение эффективности использования объема кристал-
ла.
Топология и структура интегрального логического элемента 2И-2ИЛИ-НЕ,
разработанного на основе изложенных выше принципов, схематически показаны на
рис. 20 [44].
38
Рис. 20. Схематическое изображение топологии и структуры трехмерного эле-
мента 2И-2ИЛИ-НЕ

Страницы