Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Рындин Е.А - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

41
- окисление, металлизация, 1-я литография,
окисление, формирование жертвенного
слоя, 2-я литография, травление жертвен-
ного слоя и окисла через маску, металлиза-
ция;
- боковое травление жертвенного слоя, фор-
мирование межслойных переходов между
1-м и 2-м слоями металла;
- формирование 2-го и 3-го слоев металла и
межслойных переходов между 2-м и 3-м, 3-
м и 4-м слоями металла (3-я, 4-я, 5-я, 6-я
литографии);
- формирование жертвенного слоя, 7-я лито-
графия, ионно-лучевое травление слоев
окисла, металла и жертвенного слоя;
- молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
вертикальной n-n+-n-n+-структуры;
- боковое травление жертвенного слоя, фор-
мирование столбиков с n-канальными
ПТШ, металлизация, 8-я литография, окис-
ление, формирование шины нулевого по-
тенциала.
Рис. 24. Технологический маршрут формирования структур на пластине
n
+
-типа
42
- окисление, формирование 7-го слоя метал-
ла (9-я литография), формирование меж-
слойных переходов между 7-м и 6-м слоя-
ми металла (10-я литография);
- формирование 6-го и 5-го слоев металла и
межслойных переходов между 6-м и 5-м, 5-
м и 4-м слоями металла (11-я, 12-я, 13-я,
14-я литографии);
- формирование жертвенного слоя, 15-я ли-
тография, ионно-лучевое травление слоев
окисла, металла и жертвенного слоя;
- МЛЭ вертикальной р-р+-р-р+-структуры;
- боковое травление жертвенного слоя, фор-
мирование столбиков с р-канальными
ПТШ, металлизация, 16-я литография,
окисление, формирование шины питания;
- формирование трехмерных интегральных
логических элементов посредством опера-
ции слияния пластин n+- и р+-типа.
Рис. 25. Технологический маршрут формирования структур на пластине
р
+
-типа и операция слияния пластин

Страницы