Электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Самохвалов М.К - 107 стр.

UptoLike

106
3.3.1. Получение и свойства тонкопленочных
электролюминесцентных структур
Тонкопленочные электролюминесцентные конденса-
торные структуры для экспериментальных исследований
были получены методами тонкопленочной технологии в ла-
боратории кафедры <<Проектирование и технология элек-
тронных средств>> Ульяновского государственного техни-
ческого университета [6]. В данном разделе приведено
краткое описание свойств применяемых материалов и ис-
пользованных технологических методов получения экспе-
риментальных образцов. Для измерения электрических
процессов использованы типичные пятислойные тонкопле-
ночные структуры, конструкция которых представлена на
рис. 1.1.
В качестве подложек, на которых формировались кон-
денсаторные структуры, использовались пластины бесще-
лочного стекла толщиной 1,5–3 мм с нанесенным на них
слоем прозрачного электрода, представляющего собой
пленку оксидов индия и олова толщиной 0,2 мкм с удель
-
ным поверхностным сопротивлением 50–100 Ом/ и про-
зрачностью более 95–98 % в видимом диапазоне.
После механической и химической очистки подложек
на них осаждали пленку диэлектрика методом электронно-
лучевого испарения в вакууме. В качестве диэлектрических
материалов был использован твердый раствор оксидов
циркония (87 %) и иттрия (13 %). Этот состав отличался вы-
сокой технологичностью, стабильностью, высокими изоли-
рующими свойствами [6]. Технология его нанесения доста-
точно хорошо отработана [58]. Толщина диэлектрических
слоев составляла 0,2–0,3 мкм, диэлектрическая проницае-