ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
107
мость – 18–19, удельное сопротивление – более
10
13
Ом·см.
В качестве люминесцентного материала использовали
сульфид цинка, легированный марганцем (0,5 %). Данный
материал также хорошо изучен, и для него отработана тех-
нология получения тонких пленок [6, 58]. Слои электролю-
минофора наносились поверх пленки диэлектрика вакуум-
ным методом резистивного испарения.
Толщина пленок люминофора составляла 0,5–1,5 мкм,
диэлектрическая проницаемость – 8–9, удельное сопротив-
ление – (2–3) 10
9
Ом·см. На поверхность люминесцентного
слоя напылялась пленка диэлектрика аналогично первому
диэлектрическому слою. Затем на поверхности диэлектрика
формировались алюминиевые электроды с помощью тер-
мического испарения в вакууме через трафарет. Толщина
алюминиевых пленок составляла 0,2–2 мкм, площадь элек-
тродов обычно была около 2 мм
2
.
Полученные таким образом тонкопленочные электро-
люминесцентные конденсаторы обладали достаточно вы-
сокой стабильностью. Пороговое напряжение для различ-
ных образцов составляло от 100 до 150 В, максимальная
яркость свечения желтого цвета достигала 2·10
4
кд/м
2
.
3.3.2. Экспериментальные измерения электрических
характеристик тонкопленочных
электролюминесцентных конденсаторов
Для экспериментальных исследований электрических
характеристик тонкопленочных электролюминесцентных
конденсаторных структур использовалось то же измери-
тельное оборудование, что было использовано и для изме-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 106
- 107
- 108
- 109
- 110
- …
- следующая ›
- последняя »
