ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
22
меньше порогового значения V
T
, электролюминесцентное
устройство может быть представлено как конденсатор с
трехслойным диэлектриком. Распределение напряжения V
на слоях диэлектриков V
D
и люминофора V
L
определяется
исходя из равенства заряда:
Q
= C V = С
D
V
D
= C
L
V
L
, (1.1)
где С = 1/(1/С
D
+ 1/C
L
)–емкость тонкопленочной структуры;
С
D
и C
L
–емкость слоев диэлектриков и люминофора.
В этом случае в тонкопленочной структуре протекают
только зарядные токи (токи смещения):
J = J
LC
= J
DC
= С
L
dV
L
/ dt = С
D
dV
D
/ dt = С dV / dt, (1.2)
где J
LC
и J
DC
–токи смещения в слоях люминофора и диэлек-
триков соответственно. Рассеяние электрической мощности
в тонкопленочной структуре практически не происходит.
Значение порогового напряжения определяется вели-
чиной напряженности электрического поля в люминесцент-
ном слое E
LT
, когда резко возрастает скорость генерации
свободных носителей заряда, которые, ускоряясь в поле,
возбуждают центр свечения [9]. Таким образом, величина
порогового напряжения зависит от свойств и толщины сло-
ев люминофора и диэлектриков [3, 7]:
V
T
= V
LT
C
L
/ C, (1.3)
где V
LT
= E
LT
d
L
–пороговое падение напряжения в слое лю-
минофора; d
L
–толщина люминофора.
Величина E
LT
для цинкосульфидных люминофоров со-
ставляет 7 10
5
В/см [7].
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »
