Электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Самохвалов М.К - 25 стр.

UptoLike

24
верхний и нижний диэлектрики изготовлены из одного ма-
териала). Соотношения (1.1, 1.2 и 1.5) позволяют опреде-
лить конструктивные требования к материалам и толщинам
диэлектрических и люминесцентных слоев, исходя из тре-
бований к электрическим свойствам электролюминесцент-
ных конденсаторов [6].
Генерация свободных носителей заряда в люминофо-
ре происходит путем туннелирования электронов из со-
стояний границ раздела <<люминофор
диэлектрик>> в
сильном электрическом поле [3, 6–8]. Туннельный меха-
низм генерации определяет высокую скорость процесса,
его сильную полевую зависимость и слабое влияние тем-
пературы. Вследствие высокой скорости генерационных
процессов при напряжениях выше порогового значения ве-
личина тока ограничивается не инерционностью механизма
образования поляризационного заряда, а скоростью изме-
нения внешнего напряжения
J = J
DС
= J
LA
= C
D
dV / dt, (1.6)
где J
LA
ток проводимости в люминофоре.
Величина плотности активного тока составляет обычно
0,05–0,5 мА/мм
2
.
На рис. 1.3. показаны временные диаграммы заряда,
тока и яркости излучения тонкопленочной структуры при
возбуждении электролюминесценции симметричным ли-
нейно изменяющимся напряжением [7].
Соотношения (1.3 и 1.6) позволяют определить значения
тока в тонкопленочном электролюминесцентном конденса-
торе для возбуждающего напряжения известной формы.