ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
27
Следует отметить, что здесь произведен анализ рас-
сеяния энергии электрического поля лишь в слое люмино-
фора тонкопленочной электролюминесцентной структуры.
При рассмотрении процессов потребления энергии ин-
дикаторными устройствами на основе электролюминес-
центных конденсаторов необходимо также учитывать рас-
сеяние энергии внешнего источника в электрической
управляющей цепи, связанное с перезарядкой емкостей
излучательных элементов и
паразитных емкостей, с поте-
рями в подводящих проводах и др.
Задача электрического моделирования процессов в
тонкопленочных электролюминесцентных структурах сво-
дится к построению эквивалентной схемы с сосредоточен-
ными параметрами [7, 21, 25]. Элементы схемы замещения
должны отражать основные закономерности изменения за-
ряда поля и тока в различных пленках при разных условиях
возбуждения люминесценции и
учитывать свойства всех
слоев.
Нелинейные электрические свойства пленки люмино-
фора связаны с тем, что в слабых полях люминофор явля-
ется достаточно высокоомным, а в сильных–его сопротив-
ление резко уменьшается [20]. В эквивалентной схеме лю-
минесцентный слой имитируется конденсатором с емко-
стью, равной геометрической емкости пленки люминофора,
и параллельно включенным сопротивлением и
включенны-
ми навстречу друг другу стабилитронами [21, 25 – 28]. Слои
диэлектрика в эквивалентной схеме представлены конден-
саторами, емкости которых соответствуют геометрическим
емкостям диэлектрических пленок, и включенными парал-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
