ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
29
эквивалентная схема может быть дополнена сопротивле-
нием и емкостью, отражающими паразитные связи в элек-
тролюминесцентных экранах [28]. Для моделирования эф-
фектов памяти в схему последовательно со стабилитрона-
ми могут быть включены элементы с отрицательным сопро-
тивлением. Несимметричность свойств тонкопленочной
структуры ее электрических характеристик может быть от-
ражена встречным включением различных стабилитронов.
1.4.
Светотехнические характеристики тонкопленочных
электролюминесцентных структур
Средняя яркость свечения электролюминесцентного
конденсатора связана с величиной рассеиваемой в люми-
нофоре электрической мощности следующим соотношени-
ем [7, 29]:
В = (К
0
Р В
0
) / (В
0
+ К
0
Р), (1.10)
где К
0
и В
0
–максимальные значения светоотдачи и яркости
для данного люминофора.
Из выражения (1.10) следует, что для малых значений
рассеиваемой в люминофоре мощности, когда Ко Р << В
0
,
яркость линейно возрастает с увеличением мощности. Со-
стояние насыщения яркости В = В
0
возможно лишь для бес-
конечно большой мощности, т.е. является практически не-
достижимым.
Иногда зависимость яркости от рассеиваемой мощно-
сти представляют в простом линейном виде: В = К Р, но в
этом случае величина светоотдачи будет не постоянной, а
зависящей от условий возбуждения К = К
0
(1–В / В
0
).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »
