Электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Самохвалов М.К - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

60
V
C
= V – aRC
D
+ aR(C
D
– C)exp(– (t – t
T
) / RC
D
),
J = aC
D
[1 – (C
D
– C) / C
D
× exp(– (t – t
T
)/RC
D
)]. (2.17)
Этот ток является зарядным током для конденсатора
C
D
и активным током в слое люминофора, обуславливаю-
щим возбуждение свечения в люминесцентном слое.
Когда V
C
> V
CT
, напряжение на слое люминофора ос-
тается постоянным V
L
= V
LT
, что обеспечивается открытым
состоянием шунтирующего стабилитрона. В этом случае
рост напряжения V
C
полностью определяется приращением
напряжения на диэлектрических слоях.
V
D
(t) = V
C
(t) – V
LT
или
V
D
= V – V
LT
– aRC
D
+ aR(C
D
– C) exp (– (t – t
T
) / RC
D
).
Если t – t
T
>> RC
D
, то J = aC
D
для t – t
T
< T/4,
где Т – период изменения напряжения.
Для амплитудного значения приложенного напряжения
V = V
A
, когда t = T/4, V
C
=V
A
– aRC
D
.
Когда T/4 <
t < 3T/4, V = V
A
– a(t – T/4), т. е. dV / dt = – a,
V
C
= V + aRC – aR(C
D
+ C) e
–t/RC
,
J = – aC (1 – (C
D
+ C) / C) e
–t/RC
(2.18)
Таким образом, в этой части периода изменения
внешнего напряжения │V
C
│ > │V│ – для V > 0 и │V
C
│ < │V│
– для V
C
< 0.
Величина напряжения на обкладках конденсатора при
уменьшении внешнего напряжения некоторое время увели-
чивается выше значения V
CA
= V – aRC
D
. Максимальное
значение напряжения на обкладках конденсатора опреде-

Страницы