Электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Самохвалов М.К - 62 стр.

UptoLike

61
ляется из условия dV
C
/ dt = 0, т. е. J = 0, и составляет
V
CM
= V
A
– aRC ln(1 + C
D
/ C) для V
M
= V
CM
= V
A
– aRC ln х
х (1 + C
D
/ C), т. е. для t
M
– T/4 = RCln(1 + C
D
/ C). Величина
напряжения V
СМ
ограничивается значением пробивного на-
пряжения диэлектрических слоев V
DПР
, т.е. максимальное
напряжение на слоях диэлектрика V
DМ
= V
CМ
– V
LT
должно
быть меньше V
DПР
= E
DПР
d
D
, где E
DПР
и d
D
электрическая
прочность и толщина диэлектрика, соответственно это тре-
бование ограничивает амплитудное значение возбуждаю-
щего напряжения. Значение тока изменяется от
J = C
D
dV / dt для t = T/4 до J = – CdV / dt для t – T/4 >> RC.
Режим квазистационарного экранирования люминофо-
ра продолжается до достижения максимального значения
напряжения на обкладках электролюминесцентного кон-
денсатора V
СМ
– V
L
= V
LT
, после достижения времени t
m
на-
чинается уменьшение напряжения на слоях люминофора и
диэлектрика в соответствии с соотношением (2.18) вслед-
ствие того, что стабилитрон переходит в закрытое состоя-
ние.
Напряжение переключения для этой части периода
изменения напряжения V
P
= V
T
, вследствие заряда конден-
сатора C
D
в предыдущей части изменения напряжения [42]
V
P
= 2V
T
– V
A
, а V
CP
= 2V
CT
– V
CM
, (2.19)
где V
CT
и V
T
определяются выражениями (2.15) и (2.16).
Таким образом, переключение люминофора в прово-
дящее состояние происходит раньше, при меньших значе-
ниях напряжения. В остальном это переключение происхо-
дит аналогично переключению при возрастании напряже-