Элементы и устройства оптоэлектроники. Самохвалов М.К. - 46 стр.

UptoLike

Составители: 

45
прозрачное окно, через которое световой поток попадает обычно на базовую
область фототранзистора. Площадь фоточувствительной площадки составляет
1- 3 мм
2
.
Существует две разновидности конструкций фототранзисторов: поперечная и
продольная. Продольные транзисторы имеют более простую конструкцию и
технологию, удобны для включения в интегральные схемы, но уступают по
своим функциональным параметрам.
а б
Рис. 24. Структура поперечного (а) и продольного (б) фототранзисторов.
Достоинства фототранзисторов: наличие механизма внутреннего усиления,
т.е. высокая фоточувствительность, схемотехническая гибкость, связанная с на-
личием третьего электрода.
Основные недостатки: ограниченное быстродействие и температурная зави-
симость параметров.
МДПфототранзисторы
МДПфототранзистор представляет собой полевой транзистор с изолирован-
ным затвором, в котором поглощаемый в подзатворной области световой поток
приводит к изменению проводимости канала между истоком и стоком. Вызван-
ное светом увеличение тока приводит к изменению порогового напряжения и
крутизны передаточной характеристики. Электрод затвора должен быть изго-
товлен из прозрачного или полупрозрачного материала. МДП-фототранзистор,
таким образом, является аналогом фоторезистора, но может быть использован в
любом режиме подзатворного канала: обогащении, обеднении, инверсии.
Рис. 25. Структура МДП-фототранзистора.
n
+
n
p
n
+
э б
к
n
+
n
p
+
p
+
p
+
К Э К
n
+
n
+
p
И З С