ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
46
При использовании в качестве фотоприемников МДП-транзисторов их целе-
сообразно применять в сочетании с фотодиодом на основе p-n перехода. Техно-
логически фотодиод и МДП-транзистор изготавливаются на одной пластине
полупроводника и фотодиод подключается к истоку и затвору. Так как ток че-
рез затвор не протекает, то фотодиод работает в режиме генерации фотоЭДС.
При одновременном освещении p-n перехода и МДП-транзистора меняется как
напряжение отсечки, так и фотонапряжение p-n перехода. Фото ЭДС p-n пере-
хода изменяет потенциал затвора, поэтому изменяется ток в цепи исток-сток.
а)
Рис. 26. Структура (а) и эквивалентная схема (б) МДП-транзистора с фото-
диодом на основе p-n перехода.
МДП-фототранзисторы являются удобными фоточувствительными элемен-
тами для создания многоэлементных фотоприемников.
Гетерофототранзисторы
Гетерофототранзисторы используют принцип действия обычного фототран-
зистора в сочетании с достоинствами гетероструктур. В гетероструктурах ис-
пользуются широкозонные эмиттерные и коллекторные окна, что позволяет
применять прямую и обратную засветку. Тонкая фотоактивная базовая область,
обусловленная идеальностью гетерограниц, обеспечивает накопление основных
носителей заряда в базе и отсутствие просачивания неосновных носителей в
эмиттер.
Рис. 27. Структура гетерофототранзистора.
Гетерофототранзисторы имеют высокую фоточувствительность и быстро-
действие (10
–9
-10
–10
с), низкое напряжение питания, возможность выбора спек-
тральной области чувствительности.
n
+
n
+
И З С
р
б)
Э Ф
n
+
-InPэмитте
р
p – InGaAs
n база
n
+
K
InP коллекто
р
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
