Элементы и устройства оптоэлектроники. Самохвалов М.К. - 52 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

51
4. Максимальная и минимальная плотность зарядового пакета 50 нКл/см
2
и
50 пКл/см
2
и динамический диапазон D = 20 lg (Q
max
/ Q
min
) (60 дБ).
5. Плотность темнового тока 5–20 нА/см
2
.
6. Чувствительность - 0,1-0,4 А/Вт и спектральный диапазон - 0,4-1,1 мкм.
7. Частотно-контрастная характеристика (разрешающая способность) –
10-50 линий/мм.
Основные области применения приемников световых образов на основе
ФПЗС: ТВ-техника, фототелеграфия, оптические измерения, распознавание об-
разов, ночное видение и др. Особенности ФПЗС заключаются в том, что они
являются приборами динамического типа, поскольку носителями информации
служат зарядовые пакеты. Для их изготовления требуется высокий уровень раз-
вития полупроводниковой технологии, обеспечивающей однородность, регу-
лярность системы электродов, высокое качество диэлектрической пленки и
границы раздела полупроводник-диэлектрик, отсутствие p-n переходов в фото-
чувствительной зоне. Высокие требования предъявляются к кремниевой под-
ложке: однородность, большое время жизни и высокая подвижность неоснов-
ных носителей заряда
МДП-фотодиодный многоэлементный приемник
В данных фотоприемниках каждый элемент представляет собой МДП-
фототранзистор с возбуждаемой светом истоковой областью. Элементы объе-
диняются в строки, с которых соответствующие электрические сигналы пере-
даются в схемы управления.
Достоинствами данных фотоприемников являются.
1. Большая функциональная гибкость: возможность применения режимов на-
копления и мгновенного действия.
2. Больший динамический диапазон.
3. Более высокая устойчивость к температурным и радиационным воздейст-
виям.
К недостаткам таких приборов относятся.
1. Невысокая плотность упаковки и разрешающая способность, т.к. к каждо-
му элементу необходимы контакты.
2. Использование в одном элементе диода и МДП-транзистора, что возможно
пока только для кремния.
3. Большие собственные шумы.
Сканисторы
Сканисторы представляют собой линейный фотоприемник на основе крем-
ниевой подложки с двумя p-n переходами. На верхний электрод подается отри-
цательное напряжение, чтобы первый переход находился при обратном, а ниж-
ний при прямом смещении. Этот электрод должен быть прозрачным. Верхний
p-n переход является мелким, т.е. толщина низкоомного р-слоя мала, так что
излучение поглощается в нем и в области пространственного заряда.

Страницы