Элементы и устройства оптоэлектроники. Самохвалов М.К. - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

52
а)
Рис. 32. Структура (а) и эквивалентная схема (б) сканистора.
Толщина базовой n-области области достаточно велика и фотоносители не
доходят до нижнего p-n перехода. На верхний электрод подается линейно-
возрастающее напряжение развертки V
разв
= V
o
*t/T. Когда оно повышается, эк-
випотенциальная линия, соединяющая верхнюю и нижнюю плоскости, пере-
мещается слева направо, слева открываются диоды считывания. Возрастание
выходного тока происходит в соответствии с распределением освещенности
вдоль строки. Дифференцирование ступенчатого выходного сигнала дает по-
следовательность видеоимпульсов, соответствующих картине освещенности.
Конструкция и технология сканисторов более простая, чем для ФПЗС и
МДП-фотодиодных приемников. Но по сравнению с этими фотоприемниками
сканисторы имеют меньшую чувствительность, поэтому используются в основ-
ном в оптико-механических приборах и фототелеграфии.
Кремниконы
Кремниконы представляют собой приемники световых образов на основе по-
лупроводниковых устройств, в которых при считывании информации исполь-
зуется электронный луч, быстро обегающий миниатюрные фотодетекторы.
Фотоприемным устройством является кремниевая фотодиодная матрица с
нанесенными на нее резистивной пленкой, имеющей уменьшенную толщину
вблизи p
+
-областей, и сплошным металлическим электродом. На р
+
-области по-
дается положительное напряжение V = 5-10 B, так что фотодиоды являются об-
ратно-смещенными, происходит зарядка их емкостей. При воздействии осве-
щения происходит их разрядка. Сканирование электронным лучом приводит к
дозарядке емкостей p-n переходов, при этом ток через последовательно вклю-
ченный резистор R
Н
формирует видеосигнал.
В кремниконах используется режим накопления: Т
кадра
= 1/25 с, цикл опроса
на 2-3 порядка меньше (0,5-0,05 мс). Достоинствами данных приборов является
простота, регулярность структуры, отсутствие межсоединений, что позволяет
создавать матрицы, содержащие до 10
8
ячеек.
V
o
– напряжение смещения
ПЭ
n
p
р
Диод-считывания
б)
ф
ото
д
ио
д

Страницы