Элементы и устройства оптоэлектроники. Самохвалов М.К. - 84 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

поэтому возбуждение свечения в этих индикаторах производится знакопере-

менным напряжением.

Для описания физических основ работы этих приборов необходимо учиты-

вать следующие основные процессы, протекающие в слое люминофора в силь-

ном электрическом поле (рис. 55.).

1. Эмиссия электронов поверхностными состояниями границы раздела лю-

минофор-диэлектрик в зону проводимости люминофора.

2. Ускорение электронов электрическим полем в люминесцентном слое.

3. Возбуждение центров свечения ускоренными электронами.

4. Излучательные и безызлучательные переходы возбужденных центров в ос-

новном состояние.

5. Захват свободных носителей ловушками границы раздела люминофор-

диэлектрик.

Рис. 55. Энергетическая диаграмма структуры диэлектрик-люминофор-

диэлектрик при подаче напряжения: Д - диэлектрик; Л - люминофор; А -

активаторный центр свечения; ПС - поверхностные состояния; Е

и Е

- зо-

на проводимости и валентная зона.

Наиболее важными техническими характеристиками тонкопленочных элек-

тролюминесцентных источников излучения являются: яркость и спектр излуче-

ния, рабочее напряжение, потребляемая мощность, световая отдача, время на-

растания и спада яркости и др. Величины характеристических параметров и их

зависимость от управляющих воздействий и внешних факторов определяют

применение этих излучателей в различных индикаторных устройствах.