Исследование поляризации сегнетоэлектриков. Щербаченко Л.А - 12 стр.

            температуры. На рис.10 приводится схема установки для определения
                                        зависимости ε r = f (T ) .
                                             Для измерения емкости образца
                                        используется мостовой метод (описание
                 Cx       М             методики измерения диэлектрической
                                        проницаемости          к   измерительной
                                        установки приводятся на рабочем месте).
                       Т


             Рис.10. Схема установки
             для определения
             зависимости ε r = f (T ) : М –
             измерительный мост; Т –
             термостат; C x - образец
             исследуемого
             сегнетоэлектрика.

                                         Порядок выполнения работы

                  1. Ознакомиться с описанием работы, схемой установки.
                  2. Определить величину спонтанной поляризации (число образцов и
            величина приложенного напряжения задаются преподавателем).
                  2.1. Собрать установку для определения спонтанной поляризации Pсп
            (рис.9).
                  2.2. Определить площадь исследуемого образца сегнетоэлектрика.
                  2.3. Зарисовать петлю гистерезиса при заданном входном
            напряжении U .
                  2.4. Зарисовать петлю гистерезиса, определить значение U 0 , по
            формуле (1) рассчитать поляризованность.
                  3. Снять зависимость Рсп = f (T ) .
                  3.1. Для этого исследуемый образец помещается в термостат через
            каждые 5-10°С определяется величина Pсп (см.2), при этом следует каждый
            раз зарисовывать петлю гистерезиса.
                  3.2. Построить график зависимости Рсп = f (T ) .
                  4. Снять зависимость ε r = f (T ) .
                  4.1. Собрать установку для определения ε r (рис.10).
                  4.2.   Снять     температурную      зависимость      диэлектрической
            проницаемости исследуемого образца сегнетоэлектрика (температуры
            задаются преподавателем).
                  4.3. Построить график зависимости ε r = f (T ) .
                  5. Объяснить полученные результаты.




                                                                                    12

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com