Электроника. Селиванова З.М. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

ВВЕДЕНИЕ
Методические указания написаны в соответствии с программой курса электроники дисциплины
"Общая электротехника и электроника" по специальности 210201 "Проектирование и технология радио-
электронных средств".
При изучении данного курса студенты должны усвоить принцип функционирования элементов и
устройств аналоговой электроники, методы их расчета и анализа.
1 МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
Целью контрольной работы является проверка усвоения студентами материала по курсу электрони-
ки по дисциплине "Общая электротехника и электроника". Перед выполнением контрольной работы
следует изучить соответствующие разделы курса по рекомендуемой литературе и решить необходимое
количество задач.
Контрольная работа состоит из шести задач по основным разделам курса и 25-и вариантов. Свой
вариант студент определяет по двум последним цифрам номера зачетной книжки.
При решении каждой задачи необходимо привести условие задачи, начертить заданную схему или
графики. В ходе решения давать пояснения и все используемые расчетные формулы.
В конце решения написать полученный ответ, а также список использованных источников.
Контрольная работа оформляется в тетради, на обложке которой должна быть этикетка с указанием
наименования вуза, факультета, группы, дисциплины, фамилии и инициалов студента.
2 УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА
Т е м а 1 Основы электроники
Основные определения. Этапы развития электроники. Классификация электронных устройств. Ана-
логовые электронные устройства. Дискретные электронные устройства. Импульсные электронные уст-
ройства. Релейные электронные устройства. Цифровые электронные устройства. Режимы, характери-
стики и параметры электронных приборов. Модели электронных приборов.
Т е м а 2 Контактные явления
Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном со-
стоянии. Неравновесное состояние полупроводника. Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии. Плотность тока в полупроводнике.
Т е м а 3 Полупроводниковые диоды
Электронно-дырочный переход. Структура p-n-перехода. Энергетическая диаграмма p-n-перехода.
Потенциальный барьер и толщина p-n-перехода. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Учет
сопротивления областей p-n-перехода. Пробой p-n-перехода. Дифференциальное сопротивление p-n-
перехода. Емкость p-n-перехода. Малосигнальная модель p-n-перехода. Частотные свойства p-n-
перехода. Импульсные свойства p-n-перехода. Контакт металл-полупроводник, гетеропереходы. Разно-
видность полупроводников диодов. Классификация. Выпрямительные диоды. Стабилитроны и стаби-
сторы. Диоды Шотки. Универсальные и импульсные диоды. Варикапы. Тунельные и обращенные дио-
ды. Шумы полупроводников. СВЧ-диоды.
Т е м а 4 Биполярные транзисторы

Страницы