ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Принцип действия. Режимы работы. Общие сведения. Физические процессы в бездрейфовом бипо-
лярном транзисторе (БТ). Влияние режимов работы БТ в статическом режиме (модель Эберса-Молла).
Статические характеристики БТ. Схема с общей базой. Схема с общим эмиттером. Схема с общим кол-
лектором. Влияние температуры на статические характеристики БТ. Зависимость коэффициента пере-
дачи тока от электрического режима работы БТ. Дифференциальные параметры БТ в статическом ре-
жиме. Квазистатический режим БТ в усилительном каскаде. БТ в квазистатическом режиме как линей-
ный четырехполюсник. Нелинейная динамическая модель БТ. Линейная (малосигнальная) модель БТ.
Частотные свойства БТ. Способы улучшения частотных свойств БТ. Переходные процессы в БТ и про-
стейшем ключе на его основе. Шумы БТ.
Т е м а 5 Тиристоры
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора). Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор. Симметричные тиристоры (симисторы). Переходные процессы и динамические параметры.
Т е м а 6 Полевые транзисторы
Общие сведения. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Устройство, принцип дейст-
вия и статические характеристики. Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл-
полупроводник. Идеализированная структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Физические
процессы в МДП-структуре. Полевой транзистор с изолированным затвором. Управление тока стока и
статические характеристики МДП-транзистора с изолированным каналом. Электрические модели поле-
вых транзисторов. Статическая модель полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Нелиней-
ная динамическая модель полевого транзистора с управляющим переходом. Малосигнальная модель
полевого транзистора с управляющим переходом. Нелинейная динамическая модель МДП-транзистора.
Малосигнальная модель МДП-транзистора. Шумы полевых транзисторов.
Т е м а 7 Приборы с зарядовой связью
Структура прибора с зарядовой связью (ПЗС) и временные диаграммы изменения напряжения на
его выходах. Характер изменения коэффициента потерь от частоты напряжения передачи. Основные
параметры ПЗС. Основные сферы применения ПЗС.
Т е м а 8 Полупроводниковые элементы интегральных микросхем
Активные элементы интегральных микросхем (ИС). Особенности интегральных n-p-n-транзисторов.
Транзистор с тонкой базой (супербета-тразистор). Интегральный транзистор с барьером Шотки. Многоэми-
терные транзисторы. Многоколлекторные транзисторы. Интегральный n-p-n-транзистор. Интегральные дио-
ды особенности интегральных МДП-транзисторов.
Т е м а 9 Полупроводниковые лазеры
Инжекционный лазер. Принцип действия. Энергетическая диаграмма p-n-перехода. Инжекционный
лазер на основе арсенида галлия. Режим работы лазера. Основные параметры инжекционного лазера.
Зависимость параметров лазера от температуры. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов.
Особенности гетеролазеров. Достоинство и недостатки полупроводниковых лазеров. Лазеры в технике
связи и системах обработки информации. Типа лазерных систем связи. Структурная схема оптического
гетеродинного приемника. Структурная схема волоконно-оптической линии связи. Применение твердо-
тельных лазеров в системах космической связи.
Т е м а 10 Термисторы, варисторы
Принцип действия термистора. Параметры и характеристики терморезисторов. Температурная чув-
ствительность терморезисторов. Применение терморезисторов. Варисторы, принцип действия. Пара-
метры, характеристики.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
