Электроника. Селиванова З.М. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2 Т-образная схема замещения транзистора с ОБ
Решение
Для транзистора ОБ связь между h-параметрами и параметрами Т-образной схемы замещения опре-
деляется выражениями
)1(
БЭБ11
α
−
+
≈
rrh ;
α
≈
Б21
h ;
КБ22
/1 rh
≈
;
)/(
КБББ12
rrrh
+
≈
.
По току
Э
I находим
Ом25)101/(025,0/
3
ЭЭ
=⋅=ϕ≈
−
Ir
T
,
поэтому
Ом166)97,01/()2530()1/()(
ЭБ11Б
≈
−
−
=
α
−
−= rhr .
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода есть обратная величина проводимости
со стороны коллектора:
Ом10)101/(1/1
66
Б22К
=⋅=≈
−
hr .
Недостающий параметр
Б12
h находим следующим образом:
46
22БББ12
1066,110166
−−
⋅=⋅=≈ hrh .
Контрольные вопросы
1 Какие виды диодов Вы знаете и их условные обозначения?
2 Как определяют дифференциальное и статическое сопротивление полупроводниковых прибо-
ров?
3 Какие виды пробоя p-n-перехода существуют и в чем их отличие?
4 Поясните принцип действия биполярного транзистора.
5 Какие возможны схемы включения биполярных транзисторов и их основные параметры?
6 Поясните статические характеристики биполярного транзистора и их зависимость от температу-
ры.
7 В чем различие принципа действия и основных характеристик полевого транзистора с p-n-
переходом и МДП-транзистора?
8 Какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными?
9 Какие режимы работы биполярного и полевого транзистора Вы знаете и в чем их особенности?
10 Какие эквивалентные схемы биполярного и полевого транзистора Вам известны?
11 В чем отличие работы транзистора от динистора?
12 Объясните условие образования лавинообразного тока через тиристор.
3.2 УСИЛИТЕЛИ НА ДИСКРЕТНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

Страницы