ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Коэффициент усиления
зи
си
dU
dU
K =
, I
с
= сonst.
Полевой транзистор с изолированным затвором и со встроенным каналом (структура МОП – металл-окисел-
полупроводник).
Структура транзистора показана на рис. 4.5 [7].
Рис. 4.5. Структура полевого транзистора с изолированным затвором и
со встроенным каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором работает в двух режимах: обеднения и обогащения. В режиме
обеднения для канала n-типа на затвор подается отрицательное напряжение, которое отталкивает электроны во
встроенном канале. При этом создаются обедненные слои между каналом и изолирующим слоем окисла, ток стока
уменьшается. В режиме обогащения для канала p-типа на затвор подается положительное напряжение. В этом случае ток
стока увеличивается за счет поступления электронов в проводящий канал из области подложки.
Структура полевого транзистора с индуцированным каналом представлена на рис. 4.6.
Рис. 4.6. Структура полевого транзистора с индуцированным каналом
Области n
+
вокруг истока и стока при напряжении на затворе, равном нулю, представляют собой два встречно
включенных диода, и ток стока при этом незначителен. При подаче положительного напряжения на затвор к изолирующей
прокладке затвора притягиваются электроны из p-подложки и на затворе транзистора индуцируется проводящий канал. В
результате увеличивается ток стока. Полевой транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме
обогащения.
Описание лабораторного стенда
На передней панели лабораторного стенда смонтированы клеммы для подключения полевого транзистора и
измерительных приборов для снятия семейства вольтамперных характеристик I
с
= f (U
с
) / U
з
= сonst.
В качестве основных параметров полевых транзисторов используются: крутизна характеристики S, коэффициент
усиления µ
т
и внутреннее сопротивление R
i
.
Подложка Р
и
з
с
Подложка Р
n
+
обедненные слои
и
з
с
n
+
n
+
обедненные слои
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
