ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Практически S = 0,3 – 3 мА/Вт; R
i
– несколько МОм; граничная частота до 1 ГГц; более сильная температурная
зависимость, чем у биполярных транзисторов.
Порядок выполнения работы
1. Собрать схему (рис. 4.7), подключив полевой транзистор, включенный по схеме с общим истоком. Полярность
питающих напряжений в гнездах стенда учитывать в соответствии с типом исследуемого транзистора.
Рис. 4.7. Схема включения транзистора для снятия входных характеристик
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »