Общая электротехника и электроника. Селиванова З.М. - 36 стр.

UptoLike

Составители: 

Практически S = 0,3 – 3 мА/Вт; R
i
несколько МОм; граничная частота до 1 ГГц; более сильная температурная
зависимость, чем у биполярных транзисторов.
Порядок выполнения работы
1. Собрать схему (рис. 4.7), подключив полевой транзистор, включенный по схеме с общим истоком. Полярность
питающих напряжений в гнездах стенда учитывать в соответствии с типом исследуемого транзистора.
Рис. 4.7. Схема включения транзистора для снятия входных характеристик