Общая электротехника и электроника. Селиванова З.М - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

лектор. В результате описанных процессов формируются токи в переходах транзистора: эмиттера (
I
э
),
коллектора (
I
к
) и в области базы – ток базы (
I
б
).
Рис. 3.2. Структурная схема биполярного транзистора
Токи в переходах транзистора можно определить по следующим соотношениям. Ток базы коллек-
тора можно определить как разность токов эмиттера и коллектора:
I
б
=
I
э
–
I
к
.
Ток коллектора можно рассчитать с помощью коэффициента передачи тока эмиттера α:
I
к
= α
I
э
+
I
кбо
,
где
I
кбо
–
обратный ток из
n
-области в
p
-область транзистора.
3.1.1. Режимы работы и параметры биполярных транзисторов
При задании режима работы транзистора рассматривают статический режим и динамический. В
статическом режиме на электроды транзистора подают напряжения от источников питания. В динамиче-
ском режиме на электроды транзистора подают напряжения от источников питания и, кроме того, на вход
транзистора поступает сигнал, подлежащий усилению, а на выход транзистора подключается нагрузка.
В статистике режимы работы биполярных транзисторов зависят от полярности напряжений, пода-
ваемых на электроды транзистора: эмиттер, базу и коллектор.
Режимы работы транзистора
. В биполярных транзисторах формируют в основном четыре режима
работы:
1.
Режим насыщения – к эмиттерному и коллекторному переходам транзистора приложено прямое
напряжение, выходной ток при этом зависит только от параметров нагрузки. Режим насыщения приме-
няется для замыкания электрических цепей.
2.
Режим отсечки – оба перехода смещены в обратном направлении, ток в выходной цепи транзи-
стора практически равен нулю. Режим отсечки применяется для размыкания электрических цепей.
3.
Активный режим – это нормальный режим работы транзистора; формируется при смещении
эмиттерного перехода в прямом направлении, а коллекторного – в обратном. В активном режиме тран-
зистор может реализовать все основные свои функции, им можно управлять. Этот режим характеризу-
ется высоким коэффициентом передачи тока эмиттера и минимальными искажениями входного сигна-
ла.
4.
Инверсный режим – формируется при смещении эмиттерного перехода в обратном направлении,
а коллекторного – в прямом. Инверсный режим характеризуется уменьшением коэффициента передачи
тока эмиттера, по сравнению с активным режимом. При использовании транзисторов этот режим не на-
ходит широкого применения.
Основные параметры биполярного транзистора
:
а) входное сопротивление
вх
вх
вх
I
U
r
=
;

Страницы