Общая электротехника и электроника. Селиванова З.М - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

б) выходное сопротивление
вых
вых
вых
I
U
r
=
;
в) коэффициент усиления по напряжению
вх
вых
U
U
K
U
∆
∆
=
,
где ∆
U
вых
, ∆
U
вх
– приращения соответственно выходного и входного напряжений;
г) коэффициент усиления по току
вх
вых
I
I
K
I
∆
∆
=
,
где ∆
I
вых
,
∆
I
вх
– приращения соответственно выходного и входного токов транзистора;
д) коэффициент усиления по мощности
вх
вых
Р
Р
K
P
∆
∆
=
,
где ∆
P
вых
, ∆
P
вх
– приращения соответственно мощностей на выходе и входе транзистора.
3.1.2. Схемы включения биполярных транзисторов
Как правило, транзистор включают по трем основным схемам: с общим эмиттером (ОЭ), общей ба-
зой (ОБ) и с общим коллектором (ОК) (рис. 3.3).
Общим называют электрод, который является общим при контроле потенциалов на входе и выходе
транзистора.
Схема включения транзистора с общей базой изображена на рис. 3.3, где обозначены: напряжение
U
эб
– входное;
U
кб
– выходное.
Рис. 3.3. Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения с ОБ характеризуется низким входным сопротивлением, усиливает входной сиг-
нал по напряжению и мощности. Усиление по току не реализует.
Схема включения транзистора с общим эмиттером представлена на рис. 3.4, где обозначены: на-
пряжение
U
бэ
– входное;
U
кэ
– выходное.

Страницы