Общая электротехника и электроника. Селиванова З.М - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

а
)
б
)
Рис. 3.6. Входные (
а
) и выходные (
б
) характеристики транзистора,
включённого по схеме с ОБ
Входные характеристики схемы с ОЭ приведены на рис. 3.7,
а
, а на рис. 3.7,
б
– выходные характе-
ристики.
а
)
б
)
Рис. 3.7. Входные (
а
) и выходные (
б
) характеристики транзистора,
включённого по схеме с ОЭ
На выходных характеристиках отмечены: режим насыщения – левее линии ОА, ниже характеристи-
ки при
I
б
= 0 – режим отсечки. Область между линиями ОА и ОБ – активный режим.
Статические характеристики используются для расчёта параметров транзисторов и выбора соответ-
ствующего участка характеристики работы транзистора.
3.1.4. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов
Эквивалентные схемы применяются при расчёте и анализе электрических параметров транзисторов.
В области частот для анализа переменных составляющих токов и напряжений рекомендуется ис-
пользовать Т-образную эквивалентную схему, которая наиболее точно отражает структуру и физиче-
ские процессы в транзисторе. Эквивалентная Т-образная схема с ОБ представлена на рис. 3.8.
По эквивалентной схеме можно определить следующие основные физические параметры транзи-
стора.
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
,
const
к
э
эб
э
=
=
i
di
dU
r
где
U
эб
–
напряжение, приложенное к эмиттерному переходу;
э
i
– ток, протекающий в цепи эмиттера.
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
I
э
I
э
=
0
U
кб
≠ 0
U
кб
= 0
I
э
I
к
U
кб
U
бэ
0 0
U
кэ
=
U
кэ
≠
0
I
б
U
бэ
U
кэ
U
бк
=
0
0
А
Б
I
к
I
б
=
0
I
б

Страницы