ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
,
const
э
к
кб
к
=
=
i
di
dU
r
где
U
кб
– напряжение, приложенное к коллекторному переходу;
к
i
– ток, протекающий в цепи коллекто-
ра.
Рис. 3.8. Т-образная эквивалентная схема транзистора
Диффузионное сопротивление базы
.
const
э
к
эб
бдиф
=
=
i
di
dU
r
Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера
.
const
кб
э
к
=
=α
i
di
dU
При работе транзистора в активном режиме его можно рассматривать как линейный четырёхпо-
люсник (рис. 3.9).
Рис. 3.9. Линейный четырёхполюсник
На рисунке 3.9. параметры
i
1
,
U
1
считаются входными, а параметры
i
2
,
U
2
– выходными.
Используя в качестве переменных четырёхполюсника
i
и
U
,
для описания четырёхполюсника мож-
но применить известную систему
h
-параметров
U
1
=
h
11
i
1
+
h
12
U
2
;
i
2
=
h
21
i
1
+
h
22
U
2
.
h
-параметры определяются экспериментально в режимах холостого хода на входе (
i
1
= 0) и коротко-
го замыкания на выходе (
U
2
= 0):
– входное сопротивление транзистора
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
