Общая электротехника и электроника. Селиванова З.М - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

.
const
си
зи
с
=
∆
=
U
U
I
S
Выходное дифференциальное сопротивление рассчитывается по формуле
.
const
си
с
си
с
=
∆
∆
=
U
I
U
r
Сопротивление открытого канала равно
с
си
о
I
U
R
=
.
Коэффициент усиления
.
const
с
зи
си
=
=
I
dU
dU
K
Параметры полевого транзистора с управляющим
p-n
-переходом можно определить по вольтампер-
ным выходным и передаточным статическим характеристикам транзистора.
3.2.3. Структура и принцип действия полевых транзисторов
с изолированным затвором
Рассмотрим структуры и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором и со
встроенным каналом (структуры МОП – металл-окисел-полупроводник)
.
Полевой транзистор с изолированным затвором и со встроенным каналом
.
Структура транзистора
показана на рис. 3.14.
Полевой транзистор с изолированным затвором работает в двух режимах: обеднения и обогащения.
В режиме обеднения для канала
n
-типа на затвор подаётся отрицательное напряжение, которое отталки-
вает электроны во встроенном канале. При этом создаются обеднённые слои между каналом и изоли-
рующим слоем окисла, ток стока уменьшается. В режиме обогащения для канала
p
-типа на затвор пода-
ётся положительное напряжение. В этом случае ток стока увеличивается за счёт поступления электро-
нов в проводящий канал из области подложки.
Полевой транзистор с индуцированным каналом
.
Структура полевого транзистора с индуцирован-
ным каналом представлена на рис. 3.15.
Подложка
Р
n
+
обеднённые слои
и
з
с

Страницы