Общая электротехника и электроника. Селиванова З.М - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 3.14. Структура полевого транзистора с изолированным
затвором и со встроенным каналом
Рис. 3.15. Структура полевого транзистора с индуцированным каналом
Области
n
+
вокруг истока и стока при напряжении на затворе, равном нулю, представляют собой
два встречно включённых диода, и ток стока при этом незначителен. При подаче положительного на-
пряжения на затвор к изолирующей прокладке затвора притягиваются электроны из
p
-подложки и на
затворе транзистора индуцируется проводящий канал. В результате увеличивается ток стока. Полевой
транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.
Параметры и характеристики полевого транзистора с изолированным каналом соответствуют пара-
метрам и характеристикам полевого транзистора с управляющим
p
-
n
-переходом.
3.3. КЛАССИФИКАЦИЯ И МАРКИРОВКА БИПОЛЯРНЫХ
И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Классификация транзисторов
осуществляется в основном по функциональному назначению, по
диапазону рабочих частот и по мощности.
По функциональному назначению биполярные и полевые транзисторы разделяются на три класса: уси-
лительные, переключательные и генераторные. Транзисторы, отнесённые к соответствующему классу,
имеют характерные для рассматриваемого класса параметры и характеристики.
По диапазону частот транзисторы разделяются следующим образом в зависимости от граничной
частоты:
− низкочастотные (до 30 МГц);
− высокочастотные (до 300 МГц);
− сверхвысокочастотные (более 300 МГц).
Классификация транзисторов по мощности следующая:
− малой мощности (до 0,3 Вт);
− средней мощности (до 1,5 Вт);
− большой мощности (свыше 1,5 Вт).
Маркировка транзисторов
выполняется буквенно-цифровая. Маркировку рассмотрим на примере
следующего обозначения транзистора КТ 315 А:
К Т 3 1 5 А
n
+
обеднённые слои
и
з
с
Подложка
Р

Страницы