Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 17 стр.

                Рис. 2. Изменение спектров поглощения при облучении:
                1 – кривая поглощения кристалла ГЩМ в F-зоне;
                     2 – кривая поглощения после облучения

         При этом электрон переходит в зону проводимости, а затем может
2   быть захвачен другими вакансиями, в том числе и такими, у которых уже
    есть электрон:
         V×X + e′ ↔ (V×X e′)′.
         F′-центры стабильны при низких температурах, а при нагревании
    снова диссоциируют с образованием F-центров.
         При нагревании кристаллов ГЩМ в парах галогена возникает противо-
    положная картина. Избыток неметалла обеспечивается вакансиями в катион-
    ной подрешетке, а компенсация заряда – дырками. Образуется т.н. V–центр,
    полоса поглощения которого лежит в ИК-области. Взаимодействие ком-
    плексов дефектов друг с другом может приводить к их аннигиляции. Так,
    совместное присутствие F- и V-центров приводит к их уничтожению и об-
    разованию бездефектной области в кристалле. Существуют и более слож-
    ные оптически активные дефекты. Например, уже рассмотренный пример
    F′-центров, образованных двумя электронами, захваченными одной вакан-
    сией; М-центры – это спаренные F-центры, каждый из которых входит в

                                       17