Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 21 стр.

тоже ионизовавшийся и потерявший свой электрон. Рекомбинируя с ним
(рис. 3а, переход 3), электрон отдает избыток энергии в виде фотона. Воз-
никает свечение, которое называется рекомбинационной люминесценцией.
Особенностью этого вида люминесценции является ионизация центров
свечения при возбуждении. При этом в зоне проводимости создается по-
вышенная, неравновесная концентрация электронов, что можно обнару-
жить по увеличению электропроводности. Таким образом, процесс люми-
несценции сопровождается фотопроводимостью.
     При внедрении активатора может образоваться центр, имеющий не-
сколько локальных уровней – основной и локальный возбужденный (эти
уровни могут быть генетически связаны с уровнями самого атома-
активатора). Тогда поглощение возбуждающего света может произойти без
ионизации центра (рис. 3б, переход 1), а возвращение в обратное состояние
(переход 2 на рис. 3б) сопровождается излучением. Процесс в данном слу-
чае протекает внутри центра, а решетка матрицы играет пассивную роль.
Такую люминесценцию называют внутрицентровой. Примером люмино-
форов, в которых излучение протекает по такому механизму, являются
кристаллы галогенидов щелочных металлов, легированных таллием. Ионы
Tl+, распределенные в катионной подрешетке, переходят в возбужденное
состояние (Tl+3), а возвращение в основное состояние сопровождается лю-
минесценцией. Ионы собственной решетки никакого участия в люминес-
ценции не принимают.
     Наиболее часто используют полупроводниковые люминофоры – со-
единения класса AIIBVI, в которых осуществляется рекомбинационная лю-
минесценция. Рассмотрим упрощенный механизм процесса на примере
кристалла сульфида цинка, легированного серебром (рис. 4). Классическая
модель предполагает, что при введении активатора в запрещенной зоне
возникают энергетические уровни А1 и А2. При этом уровень А1 представ-
ляет невозбужденное состояние активатора (например, для активатора –
                                   21