Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 20 стр.

                                              2          1




      Рис..3. Положение энергетических уровней центров свечения
    при рекомбинационной (а) и внутрицентровой (б) люминесценции

     Внедрение примеси в кристаллическую решетку, как и формирова-
ние собственных точечных дефектов, вызывает появление локальных
уровней внутри зоны запрещенных энергий, способных обмениваться за-
рядами с валентной зоной и зоной проводимости. Энергетический уровень,
расположенный вблизи дна зоны проводимости, характеризуется большой
вероятностью обмена с ней электроном, а обмен с валентной зоной прак-
тически не осуществляется. Если в нормальном состоянии этот уровень за-
полнен – это донорный уровень, если пуст – т.н. электронная ловушка.
Аналогично вблизи потолка валентной зоны могут существовать уровни:
пустые (акцепторные) и заполненные (дырочные ловушки). Термическая
энергия, необходимая для высвобождения захваченного носителя заряда,
называется глубиной ловушки. Дефекты и примеси могут формировать и
глубокие уровни с большой энергией активации. Такие уровни выполняют
роль центров рекомбинации, для них рекомбинация зарядов более вероят-
на, чем освобождение носителя.
     Под действием возбуждающего света электрон с примесного уровня
или из валентной зоны может перейти в зону проводимости (рис. 3а, пере-
ходы 1, 2). Такой электрон теряет связь с дефектом, которому он принад-
лежал, и свободно перемещается по кристаллу до тех пор, пока не встретит
какой-то новый дефект, например, другой образованный примесью центр,

                                   20