Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 24 стр.

электронов, т.е. увеличивается рассеяние электронов на дефектах, и сопро-
тивление растет.
     Если для вещества одного и того же состава можно получить образ-
цы с упорядоченной структурой и с неупорядоченной, то сопротивление
упорядоченного образца будет значительно меньше. Так в системе Cu-Au
возможно при длительном отжиге в твердом состоянии получить соедине-
ния Курнакова CuAu и Cu3Au, а при быстром охлаждении получается
твердый раствор того же валового состава, но со статистическим распреде-
лением компонентов и большим количеством дефектов. Установлено, что
в случае твердого раствора сопротивление будет выше более чем в 2 раза.
     Таким образом, сопротивление металлических фаз растет при увели-
чении дефектности материала.
     В неметаллических веществах сам факт наличия электронной прово-
димости связан с дефектами. В полупроводниках при температуре 0 К все
электроны находятся в валентной зоне и проводимость отсутствует. При
повышении температуры становится возможным переход части электронов
в зону проводимости, и в кристалле возникает электропроводность. При-
месные и собственные точечные дефекты создают энергетические уровни
внутри запрещенной зоны, для перехода электронов на которые требуется
энергия меньшая, чем на переход зона–зона. Следовательно, чем больше
примесей и СТД в полупроводнике, тем больше его электропроводность.
                         Ионная проводимость
     Движение ионов осуществляется перескоками, по вакансионному
механизму. Бывает катионная и анионная проводимость. Установлено, на-
пример, что в AgI основной вклад в проводимость дают ионы серебра, а в
CaF2 электропроводность осуществляется за счет движения ионов фтора.
В кристалле флюорита строго стехиометрического состава все анионы на-
ходятся в тетраэдрическом окружении ионов кальция; при наличии разу-
порядочения часть анионов может находиться в октаэдрическом окруже-
                                   24